IQE工厂介绍
该厂占地面积约12400平方英尺,运行可用性达80%,可用于多样化技术应用的先进硅外延晶圆,可整体或单独报价。
洁净室
1级:约1120平方英尺,包括晶圆清洁室、测量室、中央洁净室和空气淋浴室。
1000级:约930平方英尺,包括更衣室、北灰室和南灰室。
生产能力:该晶圆厂在典型DCS工艺下,每天生产约800片晶圆,可用性在80%。
几何尺寸:该厂支持从纳米层到多达140微米的多种客户几何尺寸。所有设备的操作温度范围为300至1190摄氏度,压力范围为5托至大气压。
工艺技术:该晶圆厂采用多种工艺技术,包括CMOS、光子学、蓝宝石上的硅、硅上的锗、选择性SiGe、SiGe、选择性锗、选择性硅、应变硅和GaAs上的锗。还支持使用AsH₃、PH₃和B₂H₆进行原位掺杂,浓度范围广泛。
建造年份:IQE工厂成立于2000年。
设备概况:该厂拥有40多台设备,包括五台ASM E2000 RP外延反应器。此外,还有超过1000个备件,包括每台反应器的套件,可配置为100毫米、150毫米和200毫米晶圆尺寸。
*以上信息仅供参考,具体情况以现场为准。
主要设备清单及照片
*更多照片和设备详情可通过文末“阅读原文”链接查看,以上信息仅供参考,具体情况以现场为准。
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